Типы корпусов транзисторов кт315. Транзистор КТ315 – чудо советской электроники

Хоть я и опоздал на день Радио - но о КТ315 я все-же напишу. Этот транзистор видели и паяли многие, но сегодня мы увидим, чем отличаются КТ315 выпущенные в разные годы, какова его конструкция, и сравним его конструкцию с современными зарубежными аналогами.

О производстве

КТ315 - первый транзистор, произведенный по последнему писку моды конца 60-х годов - это планарно-эпитаксиальной транзистор, т.е. коллектор, эмиттер и база изготовляются последовательно на одной пластине кремния: берется пластина кремния, легированная в тип n (это будет коллектор), затем выполняется легирование на некоторую глубину в тип p (это будет база), и затем - сверху еще раз легирование на меньшую глубину в тип n (это будет эмиттер). Далее пластину нужно разрезать на кусочки, и упаковать в пластиковый корпус.

Такой процесс изготовления был намного дешевле сплавной технологии, и позволял получать немыслимые ранее параметры транзистора (в частности, рабочая частота 250-300 МГц).

Следующая новизна, приведшая к удешевлению производства - монтаж кристалла не в металлический корпус, а на металлическую ленту с выводами: кристалл, на нижней стороне которого коллектор припаивался к центральному выводу, а база и эмиттер - подключались привариваемой проволокой. Затем все это заливалось пластиком, лишние детали ленты отрезались - и получался КТ315 таким, каким мы привыкли его видеть.

Пояснения к рисунку справа: а - скрайбирование и разделение пластины на кристаллы с готовыми структурами; б - пайка кристаллов к ленте; в - присоединение вывода; г - обрезка ленты; д - герметизация; е - извлечение из формы; ж - обрезка ленты и разделение диодов/транзисторов; 1 - лента; 2 - кристалл; 3 - вывод кристалла

Серийное производство началось в 1967-1968 годах, для простых смертных цена по началу составляла 4 рубля за транзистор. Но уже в середине 70-х она опустилась до 15-20 копеек, что и сделало его по настоящему доступным транзистором. При зарплате инженера в 120 рублей - можно было купить 600 транзисторов в месяц. К слову, сейчас за условную зарплату инженера в 45тыс рублей можно купить 121"000 транзисторов BC856B, так что транзисторный уровень жизни инженера вырос в 201 раз

Примечательно, что первые приборы, собранные на КТ315 - транзисторные (микросхемы только набирали обороты) «калькуляторы» Электроника ДД и Электроника 68 .

Вот такое собрание обнаружилось у меня:

Те, где отсутствует знак завода изготовителя - это КТ361, pnp вариант. Остальные, с логотипом - КТ315 (даже если «буква по центру»). Примечательно, что во времена плановой экономики, фиксированных цен, и формального отсутствия спекуляции - цену иногда писали прямо на транзисторах.

Что же внутри?

Самый старый транзистор, который у меня нашелся - КТ315А, выпущенный в марте 1978 года.
Видим, что кристалл отломан от пластины далеко не идеально, вокруг транзистора - много неиспользуемого места.

Здесь сам кристалл - это коллектор, в центре, если я не ошибаюсь - кружек базы, и вокруг него - более широкий «пояс» эмиттера. База как-бы подныривает под эмиттер, и выходит с обратной стороны кольца.

Тут сразу видно, что место расходуется гораздо экономнее, кристалл отрезан практически идеально, заметны небольшие не критические дефекты фотолитографии, видимо тут все еще используется контактная фотолитография. Впрочем, для транзисторов этого вполне достаточно.

Сравнение

Если сравнить в масштабе с современным транзистором NXP BC847B , то видно что размер удалось уменьшить еще раза в 2 за счет «оквадрачивания», но сам транзистор принципиально не изменился - тот же коллектор на «дне» кристалла, и приваренные проволокой выводы эмиттера и базы.

Примечательно, что у BC847 ширина/высота кристалла практически равна толщине пластины, это уже практически кремниевый кубик, а не пластинка. Уменьшать площадь дальше затруднительно, по крайней мере без дальнейшего утонения пластины (утонение пластины - написано правильно).

Будущее

Умер ли КТ315? Определенно нет. До сих пор он есть например в прайс-листах Интеграла по 248 Белорусских рублей (~1 Российский рубль), т.е. вероятно все еще в производстве. Конечно, с развитием автоматического монтажа печатных плат ему пришлось уступить дорогу SMD-вариантам, например КТ3129 и КТ3130 и многим другим, в том числе и зарубежным аналогам BC846-BC848, BC856-BC858.

Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n транзисторы типа КТ315 и КТ315-1 (комплементарная им пара ). Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты, непосредственно применяются в радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для техники гражданского назначения и для поставки на экспорт. Транзисторы КТ315 и КТ315-1 выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Транзистор КТ315 изготавливается в корпусе КТ-13. В последствии КТ315 стал выпускаться в корпусе КТ-26 (зарубежный аналог TO92), транзисторы в этом корпусе получили дополнительную «1» в обозначении, например КТ315Г1. Корпус надежно предохраняет кристалл транзистора от механических и химических повреждений. Транзисторы KT315H и КТ315Н1 предназначены для применения в цветном телевидении. Транзисторы KT315P и КТ315Р1 предназначены для применения в видеомагнитофоне «Электроника — ВМ». Транзисторы изготавливают в климатическом исполнении УХЛ и в едином исполнении, пригодном как для ручной, так и для автоматизированной сборки аппаратуры.

КТ315 выпускался предприятиями: «Электроприбор» г. Фрязино, «Квазар» г. Киев, «Континент» г. Зеленодольск, «Кварцит» г. Орджоникидзе, ПО «Элькор» Республика Кабардино-Балкария г. Нальчик, НИИПП г. Томск, ПО «Электроника» г. Воронеж, в 1970 г. их производство также было передано в Польшу на предприятие Unitra CEMI.

В результате переговоров в 1970 году Воронежским объединением «Электроника» в плане сотрудничества было передано в Польшу производство транзисторов КТ315. Для этого в Воронеже полностью демонтировали цех, и в кратчайшие сроки вместе с запасом материалов и комплектующих переправили, смонтировали и запустили его в Варшаве. Этот научно производственный центр по электронике, созданный в 1970 году был производителем полупроводников в Польше. Unitra CEMI в конечном итоге обанкротилась в 1990 году, оставив польский рынок микроэлектроники открытым для иностранных компаний. Сайт музей предприятия Unitra CEMI: http://cemi.cba.pl/ . К концу существования СССР общее количество выпущенных транзисторов КТ315 превысило 7 миллиардов.

Транзистор КТ315 выпускается, по сей день рядом предприятий: ЗАО «Кремний» г. Брянск, СКБ «Элькор» Республика Кабардино-Балкария г. Нальчик, завод НИИПП г. Томск. Транзистор КТ315-1 выпускается: ЗАО «Кремний» г. Брянск, завод «Транзистор» Республика Беларусь г. Минск, АО «Элекс» г. Александров Владимирская область.

Пример обозначения транзисторов КТ315 при заказе и в конструкторской документации другой продукции: «Транзистор КТ315А ЖК.365.200 ТУ/05», для транзисторов КТ315-1: «Транзистор КТ315А1 ЖК.365.200 ТУ/02».

Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1 представлены в таблице 1.

Таблица 1 – Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1

Тип	Структура	P К max , P К* т. max , мВт	f гр, МГц	U КБО max , U КЭR*max , В	U ЭБО max , В	I К max , мА	I КБО, мкА	h 21э, h 21Э*	C К, пФ	r КЭ нас, Ом	r б, Ом	τ к, пс
KT315A1	n-p-n	150	≥250	25	6	100	≤0,5	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Б1	n-p-n	150	≥250	20	6	100	≤0,5	50...350 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315В1	n-p-n	150	≥250	40	6	100	≤0,5	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Г1	n-p-n	150	≥250	35	6	100	≤0,5	50...350 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Д1	n-p-n	150	≥250	40	6	100	≤0,5	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Е1	n-p-n	150	≥250	35	6	100	≤0,5	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Ж1	n-p-n	100	≥250	15	6	100	≤0,5	30...250 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315И1	n-p-n	100	≥250	60	6	100	≤0,5	30 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Н1	n-p-n	150	≥250	20	6	100	≤0,5	50...350 (10 В; 1 мА)	≤7	–	–	–
KT315Р1	n-p-n	150	≥250	35	6	100	≤0,5	150...350 (10 В; 1 мА)	≤7	–	–	–
КТ315А	n-p-n	150 (250*)	≥250	25	6	100	≤0,5	30...120* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
КТ315Б	n-p-n	150 (250*)	≥250	20	6	100	≤0,5	50...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤500
КТ315В	n-p-n	150 (250*)	≥250	40	6	100	≤0,5	30...120* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤500
КТ315Г	n-p-n	150 (250*)	≥250	35	6	100	≤0,5	50...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤500
КТ315Д	n-p-n	150 (250*)	≥250	40* (10к)	6	100	≤0,6	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤30	≤40	≤1000
КТ315Е	n-p-n	150 (250*)	≥250	35* (10к)	6	100	≤0,6	50...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤30	≤40	≤1000
КТ315Ж	n-p-n	100	≥250	20* (10к)	6	50	≤0,6	30...250* (10 В; 1 мА)	≤7	≤25	–	≤800
КТ315И	n-p-n	100	≥250	60* (10к)	6	50	≤0,6	≥30* (10 В; 1 мА)	≤7	≤45	–	≤950
КТ315Н	n-p-n	150	≥250	35* (10к)	6	100	≤0,6	50...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤5,5	–	≤1000
КТ315Р	n-p-n	150	≥250	35* (10к)	6	100	≤0,5	150...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	–	≤500

Примечание:
1. I КБО – обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера, измеренный при U КБ = 10 В;
2. I К max – максимально допустимый постоянный ток коллектора;
3. U КBO max – пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе кол- лектора и разомкнутой цепи эмиттера;
4. U ЭБO max – пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора;
5. U КЭR max – пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер;
6. Р К.т max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом;
7. P К max – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора;
8. r б – сопротивление базы;
9. r КЭ нас – сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером;
10. C К – емкость коллекторного перехода, измеренная при U К = 10 В;
11. f гp – граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы общим эмиттером;
12. h 2lэ – коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме мало сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно;
13. h 2lЭ – для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала;
14. τ к – постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.

Габариты транзистора КТ315

Тип корпуса транзистора КТ-13. Масса одного транзистора не более 0,2 г. Величина растягивающей силы 5 Н (0,5 кгс). Минимальное расстояние места изгиба вывода от корпуса – 1 мм (на рисунке обозначено как L1). Температура пайки (235 ± 5) °С, расстояние от корпуса до места пайки 1 мм, продолжительность пайки (2 ± 0,5) с. Транзисторы должны выдерживать воздействие тепла, возникающего при температуре пайки (260 ± 5) °С в течение 4 секунд. Выводы должны сохранять паяемость в течение 12 месяцев с даты изготовления при соблюдении режимов и правил выполнения пайки, указанных в разделе «Указания по эксплуатации». Транзисторы устойчивы к воздействию спирто-бензиновой смеси (1:1). Транзисторы КТ315 пожаробезопасны. Габаритные размеры транзистора КТ315 приведены на рисунке 1.

Рисунок 1 – Маркировка, цоколёвка и габаритные размеры транзистора КТ315

Габариты транзистора КТ315-1

Тип корпуса транзистора КТ-26. Масса одного транзистора не более 0,3 г. Минимальное расстояние места изгиба вывода от корпуса – 2 мм (на рисунке обозначено как L1). Температура пайки (235 ± 5) °С, расстояние от корпуса до места пайки не менее 2 мм, продолжительность пайки (2 ± 0,5) с. Транзисторы КТ315-1 пожаробезопасны. Габаритные размеры транзистора КТ315-1 приведены на рисунке 2.

Рисунок 2 – Маркировка, цоколёвка и габаритные размеры транзистора КТ315-1

Цоколевка транзисторов

Если расположить транзистор КТ315 маркировкой от себя (как показано на рисунке 1) выводами вниз, то левый вывод это база, центральный – коллектор, а правый – эмиттер.

Если расположить транзистор КТ315-1 наоборот маркировкой к себе (как показано на рисунке 2) выводами также вниз, то левый вывод это эмиттер, центральный – коллектор, а правый – база.

Маркировка транзисторов

Транзистор КТ315. Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая сдвинута к левому краю корпуса. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения. Старые же (произведенные до 1971 года) транзисторы КТ315 маркировались буквой, стоящей посередине корпуса. При этом первые выпуски маркировались лишь одной большой буквой, а примерно в 1971 году перешли на привычную двухстрочную. Пример маркировки транзистора КТ315 показан на рисунке 1. Следует также отметить, что транзистор КТ315 был первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.

Транзистор КТ315-1. Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора, а также транзисторы могут маркироваться кодовым знаком. Пример маркировки транзистора КТ315-1 приведен на рисунке 2. Маркировка транзистора кодовым знаком приведена в таблице 2.

Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком

Тип транзистора	Маркировочная метка на срезе боковой поверхности корпуса	Маркировочная метка на торце корпуса
KT315A1	Треугольник зеленого цвета	Точка красного цвета
KT315Б1	Треугольник зеленого цвета	Точка желтого цвета
KT315В1	Треугольник зеленого цвета	Точка зеленого цвета
KT315Г1	Треугольник зеленого цвета	Точка голубого цвета
KT315Д1	Треугольник зеленого цвета	Точка синего цвета
KT315Е1	Треугольник зеленого цвета	Точка белого цвета
KT315Ж1	Треугольник зеленого цвета	Две точки красного цвета
KT315И1	Треугольник зеленого цвета	Две точка желтого цвета
KT315Н1	Треугольник зеленого цвета	Две точки зеленого цвета
KT315Р1	Треугольник зеленого цвета	Две точки голубого цвета

Указания по применению и эксплуатации транзисторов

Основное назначение транзисторов – работа в усилительных каскадах и других схемах радиоэлектронной аппаратуры. Допускается применение транзисторов, изготовленных в обычном климатическом исполнении в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзисторов непосредственно в аппаратуре лаками (в 3 – 4 слоя) типа УР-231 по ТУ 6-21-14 или ЭП-730 по ГОСТ 20824 с последующей сушкой. Допустимое значение статического потенциала 500 В. Минимально допустимое расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) 1 мм для транзистора КТ315 и 2 мм для транзистора КТ315-1. Число допустимых перепаек выводов при проведении монтажных (сборочных) операций – одна.

Внешние воздействующие факторы

Механические воздействия по группе 2 таблица 1 в ГОСТ 11630, в том числе:
– синусоидальная вибрация;
– диапазон частот 1-2000 Гц;
– амплитуда ускорения 100 м/с 2 (10g);
– линейное ускорение 1000 м/с 2 (100g).

Климатические воздействия – по ГОСТ 11630, в том числе: повышенная рабочая температура среды 100 °С; пониженная рабочая температура среды минус 60 °С; изменение температуры среды от минус 60 до 100 °С. Для транзисторов КТ315-1 изменение температуры среды от минус 45 до 100 °С

Надежность транзисторов

Интенсивность отказов транзисторов в течение наработки более 3×10 -7 1/ч. Наработка транзисторов t н = 50000 часов. 98-процентный срок сохраняемости транзисторов 12 лет. Упаковка должна обеспечивать защиту транзисторов от зарядов статического электричества.

Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Зарубежные аналоги транзистора КТ315 приведены в таблице 3. Техническую информацию (datasheet) на зарубежные аналоги транзистора КТ315 также можно скачать в таблице ниже. Указанные ниже цены соответствуют состоянию на 08.2018 года.

Таблица 3 – Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Отечественный транзистор	Возможность купить	Предприятие производитель	Страна производитель
КТ315А	нет	Unitra CEMI	Польша
КТ315Б	нет	Unitra CEMI	Польша
КТ315В	нет	Unitra CEMI	Польша
КТ315Г	нет	Unitra CEMI	Польша
КТ315Д	есть	Hitachi	Япония
КТ315Е	есть ~ 4$	Central Semiconductor	США
КТ315Ж	есть ~ 9$	Sprague electric corp.	США
КТ315Ж	есть	ITT Intermetall GmbH	Германия
КТ315И	есть ~ 16$	New Jersey Semiconductor	США
КТ315И	есть	Sony	Япония
КТ315Н	есть ~ 1$	Sony	Япония
КТ315Р	нет	Unitra CEMI	Польша

Зарубежным прототипом транзистора КТ315-1 являются транзисторы 2SC544, 2SC545, 2SC546 предприятие производитель Sanyo Electric, страна производства Япония. Транзисторы 2SC545, 2SC546 также можно приобрести, ориентировочная цена составляет около 6$.

Основные технические характеристики

Основные электрические параметры транзисторов КТ315 при приемке и поставке приведены в таблице 4. Предельно-допустимые режимы эксплуатации транзистора приведены в таблице 5. Вольт-амперные характеристики транзисторов КТ315 приведены на рисунках 3 – 8. Зависимости электрических параметров транзисторов КТ315 от режимов и условий их эксплуатации представлены на рисунках 9 – 19.

Таблица 4 – Электрические параметры транзисторов КТ315 при приемке и поставке

Наименование параметра (режим измерения) единицы измерения	Буквенное обозначение	Норма параметра		Температура, °С
		не менее	не более
Граничное напряжение (I C =10 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж, КТ315Н КТ315В, КТ315Д, КТ315И КТ315Г, КТ315Е, КТ315Р	U (CEO)	15 30 25	–	25
(I C =20 мA, I B =2 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е КТ315Ж КТ315И	U CEsat	–	0,4 0,6 0,5 0,9
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (I C =70 мA, I B =3,5 мА), В КТ315Н	U CEsat	–	0,4
Напряжение насыщения база-эмиттер (I C =20 мА, I B =2 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТЗ I5P КТ315Д, КТ315Е КТ315Ж КТ315И	U BEsat	–	1,0 1,1 0,9 1,35
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е,КТ315Ж, КГ315И	I CBO	–	0,5 0,6	25, -60
Обратный ток коллектора (U CB =10 В), мкА КТ3I5A КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е	I CBO	–	10 15	100
Обратный ток эмиттера (U EB =5 В) мкА КТ315А – КГ315Е, КТ315Ж, ХТ315Н КТ315И КТ315Р	I EBO	–	30 50 3	25
, (R BE =10 кОм U CE =25 В), мА, KT3I5A (R BE =10 кОм U CE =20 В), мА, КТ315Б, КТ315Н (R BE =10 кОм U CE =40 В), мА КТ315В (R BE =10 кОм U CE =35 В), мА, КТ315Г (R BE =10 кОм U CE =40 В), мА, КТ315Д (R BE =10 кОм U CE =35 В), мА, КТ315Е	I CER	–	0,6 0,6 0,6 0,6 1,0 1,0 0,005	25
Обратный ток коллектор-эмиттер (R BE =10 кОм U CE =35 В), мА, КТ315Р	I CER	–	0,01	100
Обратный ток коллектор-эмиттер (U CE =20 В), мА, КТ315Ж (U CE =60 В), мА, КТ315И	I CES	–	0,01 0,1	25, -60
Обратный ток коллектор-эмиттер (U CE =20 В), мА, KT3I5Ж (U CE =60 В), мА, KT3I5И	I CES	–	0,1 0,2	100
Статический коэффициент передачи тока (U CB = 10 В, I E = 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТ315Д КТ315Ж КТ315И КТ315Р	h 21E	30 50 20 30 30 150	120 350 90 250 – 350	25
Статический коэффициент передачи тока (U CB = 10 В, I E = 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТЗ15Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н КТ315Д КТ315Ж КТ315И КТ315Р	h 21E	30 50 20 30 30 150	250 700 250 400 – 700	100
Статический коэффициент передачи тока (U CB = 10 В, I E = 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТЗ15Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н КТ315Д КТ315Ж КТ315И КТ315Р	h 21E	5 15 5 5 5 70	120 350 90 250 – 350	-60
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (U CB = 10 В, I E = 5 мА, f = 100 МГц)	\|h 21E \|	2,5	–	25
Емкость коллекторного перехода (UCB = 10 В, f = 10 МГц), пФ	C C	–	7	25

Таблица 5 – Предельно-допустимые режимы эксплуатации транзистора КТ315

Параметр, единица измерения	Обозначение	Норма параметра
		КГ315А	КГ315Б	КГ315В	КГ315Г	КТЗ15Д	КГ315Е	КГ315Ж	КГ315И	КТ315Н	КТ315Р
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, (R BE = 10 кОм), В 1)	U CERmax	25	20	40	35	40	35	–	–	20	35
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при коротком замыкании в цепи эмиттер-база, В 1)	U CES max	–	–	–	–	–	–	20	60	–	–
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В 1)	U CB max	25	20	40	35	40	35	–	–	20	35
Макс. допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В 1)	U EB max	6	6	6	6	6	6	6	6	6	6
Макс. допустимый постоянный ток коллектора, мА 1)	I C max	100	100	100	100	100	100	100	100	100	100
Макс. допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт 2)	P C max	200	200	200	200	200	200	200	200	200	200
Макс. допустимая температура перехода, ⁰С	t j max	125	125	125	125	125	125	125	125	125	125

Примечание:
1. Для всего диапазона рабочих температур.
2. При t атв от минус 60 до 25 °С. При повышении температуры более 25 °С P C max рассчитывается по формуле:

где R t hjα – общее тепловое сопротивление переход-окружающая среда, равное 0,5 °С/мВт.

Рисунок 3 – Типовая входная характеристика транзисторов КТ315А – КТ315И, КТ315Н, КТ315Р

Рисунок 4 – Типовая входная характеристика транзисторов КТ315А – КТ315И, КТ315Н, КТ315Р
при U CE = 0, t атв = (25±10) °С

Рисунок 5 – Типовые выходные характеристики транзисторов типа КТ315А, КТ315В, КТ315Д, КТ315И
при t атв = (25±10) °С

Рисунок 6 – Типовые выходные характеристики транзисторов типа КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н
при t атв = (25±10) °С

Рисунок 7 – Типовые выходные характеристики
транзистора КТ315Ж при t атв = (25±10) °С

Рисунок 8 – Типовые выходные характеристики
транзистора КТ315Р при t атв = (25±10) °С

Рисунок 9 – Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от постоянного тока коллектора для транзисторов типа КТ315А – КТ315И, КТ315Н, КТ315Р при I C /I B = 10,
t атв = (25±10) °С

Рисунок 10 – Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от постоянного тока коллектора для транзисторов типа КТ315А – КТ315И, КТ315Н, КТ315Р при I C /I B = 10, t атв = (25±10) °С

Рисунок 11 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзисторов КТ315А, КТ315В, КТ315Д, КТ315И при U CB = 10,
t атв = (25±10) °С

Рисунок 12 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзисторов КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н при U CB = 10,
t атв = (25±10) °С

Рисунок 13 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзистора КТ315Ж при U CB = 10, t атв = (25±10) °С

Рисунок 14 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзистора КТ315Р при U CB = 10, t атв = (25±10) °С

Рисунок 15 – Зависимость модуля коэффициента передачи тока по высокой частоте от постоянного тока эмиттера при U CB = 10, f = 100 МГц, t атв = (25±10) °С

Рисунок 16 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от напряжения коллектор-база при I E = 5 мА, t атв = (25±10) °С для КТ315А

Рисунок 17 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от напряжения коллектор-база при I E = 5 мА, t атв = (25±10) °С для КТ315Е, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н,КТ315Р

Рисунок 18 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от тока эмиттера при U CB = 10 В, f = 5 МГц, t атв = (25±10) °С для
КТ315А

В выходной день, решил собрать видеоусилитель для своей игровой приставки Dendy, для улучшения качества видео изображения. Схема довольно простая, и насчитывает не больше десятка радиодеталей. Собрана она, на очень распространённых советских транзисторах, визуально очень похожих, читаем полезную статью, как отличить транзистор кт315 от кт361 ?

Немого о транзисторах кт315 и кт361

Одни из самых распространенных высокочастотных транзисторов, изготавливаемые из кремния, запасы которого, на нашей планете, весьма впечатляющие. КТ 315, имеет проводимость n-p-n, кт 361 имеет противоположенную. Их объединяет тип корпуса, кт 13, и очень часто, эти биполярные транзисторы используются в паре. Получили огромное распространение в отечественной электронике, в схемах усиления и преобразования.

Как отличить кт315 от кт361

Как правило, данные транзисторы выпускаются в пластиковом корпусе, нескольких цветовых вариантах, желтые, красные, коричневые. Для их сличения, располагаем их маркировкой к себе. Смотрим на маркировку, точнее на её расположение, на корпусе транзистора.

Для определения транзистора кт315, на его корпусе будет отпечатана буква, размещаться она будет, в левой его части сверху. У кт361, буква будет расположена строго по центру.
Цоколёвка у них будет одинаковая, в данной последовательности, эмиттер, коллектор, база.